型号:ZXMN3AMCTA | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Diodes Inc |
封装:8-WDFN 裸露焊盘 | 描述:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.9A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 120 毫欧 @ 2.5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 3.9nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 190pF @ 25V |
功率_最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装 | 8-DFN(3x2) |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市芯满林科技有限公司 | 夏小姐18926544209/18025435189 |
深圳市宇明芯科技有限公司 | 李小姐0755-83051566 |
深圳市芯美力科技有限公司 | 马生19928739654 |
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